新洁能

— A股代码:605111 —

30-100V P-Channel SGT-I MOSFET概览

新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势,独特的栅极负压开启机制,使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动,往往可以降低系统的总成本,为设计人员提供了一种新的选择。此外,P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电,其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子,同等情况下,P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。

新洁能基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻(RDS(on)),为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下,进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。

P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220TO-252TO-263DFN5*6SOP-8等多种封装形式,为设计人员优化系统提供最优的解决方案。

注:"SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。




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注:产品规格书中的封装外形仅供参考,由于每一封装外形都由几家封装厂封装,具体封装外形详情可参考封装文件。