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新洁能推出85~150V Super Trench MOSFET

2015-09-16

 发布者:ncepower 发布时间:2014-3-16 阅读:436次 【字体:  

      

      无锡新洁能推出85~150V SuperTrench MOSFET系列产品,采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,具有极低的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),在大功率电动车控制器、电动工具电源等行业,具有较好的温度特性和可靠性表现。

   相比市场上普通沟槽型MOSFET,新洁能Super Trench MOSFET导通电阻Rdson降低了约37%,品质因FOM(Rdson*Qg)降低了约45%。在与国外知名公司产品的对比中(表12),新洁能Super Trench MOSFET在导通电阻Rdson、品质因子FOMUIS等关键参数上,具有较强的竞争力。

     Super Trench技术贡献了更优的导通电阻温度特性,有效控制了MOSFET导通电阻随温度增加而上升的幅度。以100V产品为例,器件175下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175/ Rdson@Tc=25)仅2.09,同比普通沟槽型MOSFET(导通电阻倍增因子2.29)降低了8.7%。换言之,在同样的高温严酷环境下,新洁能Super Trench MOSFET的电流能力更大,抗冲击能力更强,实现了高速、平稳、高效的电源管理。

    图3 Super Trench MOSFET 温度特性曲线

      此外,新洁能Super Trench MOSFET具备快速柔软恢复的体二极管特性,压制了同步整流中的电压尖峰,提高了器件在AC/DC电源的同步整流中的开关速度;且较低的Crss/Ciss增强了器件的抗EMI能力。这些优势使得器件应用在交流/直流电源的同步整流、直流电机驱动、电池充电器和电池保护电路、逆变器、36~96V系统中的马达控制、隔离的直流-直流转换器、不间断电源等领域,相比于普通沟槽性MOSFET, 有显著的性能优势。

      目前, 85V100V150V Super Trench MOSFET产品已实现稳定量产,有TO-247TO-220TO-220FTO-263TO-252DFN5*6等多种封装形式可供选择,产品符合RoHS标准。

    4 Super Trench MOSFET产品方案(36~96V马达控制系统)


      可大批量供货产品规格表如下:




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