第二代高压超结(Super Juntion)MOSFET技术

 采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700~900V  SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。

 

特性:

- 更高的耐压为系统设计和应用提供更充足的余量

- 更低的导通电阻,利于降低导通损耗

- 极低的栅极电荷,提供更快的开关速度

- 同规格下更小的封装体积,使系统更轻便

- 100% 雪崩能力测试,确保产品质量可靠

应用:

- 正激电路

- 准谐振反激电路

- 适配器

- 太阳能逆变器

- 工业整流

 

 
性能卓越

                                               

 选择指南

Vce

R(on)

 SOP-8

TO-251S

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220F

TO-220

 .

700V

1.2Ω

NCE70R1K2S

NCE70R1K2L

NCE70R1K2I

NCE70R1K2K

NCE70R1K2D

NCE70R1K2F

NCE70R1K2

700V

0.87Ω

-

NCE70R900L

NCE70R900I

NCE70R900K

NCE70R900D

NCE70R900F

NCE70R900

700V

0.54Ω

-

NCE70R540L

NCE70R540I

NCE70R540K

NCE70R540D

NCE70R540F

NCE70R540

700V

0.36Ω

 - 

-

 -

NCE70R360K

NCE70R360D

NCE70R360F

NCE70R360

700V

0.26Ω

-

-

 -

-

NCE70R260D

NCE70R260F

NCE70R260

700V

0.17Ω

-

-

 -

 -

 -

NCE70R180F

NCE70R180

800V

1.0Ω

-

NCE80R1K2L

NCE80R1K2I

NCE80R1K2K

NCE80R1K2D

NCE80R1K2F

NCE80R1K2

800V

0.82Ω

-

NCE80R900L

NCE80R900K

NCE80R900D

NCE80R900F

NCE80R900F

NCE80R900

900V

1.0Ω

-

NCE90R1K2L

NCE90R1K2I

NCE90R1K2K

NCE90R1K2D

NCE90R1K2F

NCE90R1K2

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