概览
通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。
目前新一代---第七代微沟槽场截止技术IGBT产品采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度，还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/cm2以上，可以与国际技术世代产品性能达到相同水平。器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化，650V满足中频IGBT 饱和压降典型值仅1.35V。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计，优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高一致性稳定性的全面结合。