新洁能第二代SiC MOS系列产品(650V~1700V)，基于第三代半导体碳化硅技术深度研发，以卓越性能赋能高可靠性电力电子系统。本系列产品通过创新性的结构设计与先进的碳化硅材料工艺，实现高温工况下导通电阻特性的大幅优化，显著提升系统效率与可靠性；其雪崩耐量参数达到业界顶尖水平，在电压瞬态冲击等严苛环境中展现超强鲁棒性，为设备安全运行构筑坚实屏障。

产品设计充分考量工程应用需求，凭借优异的均流特性支持多器件高效并联，结合极低电磁噪声输出特性，可完美适配新能源汽车电驱、大功率充电模块、工业变频器等高频、高精度场景。新洁能贯彻全生命周期质量管理理念，采用超行业标准的质量管控体系，并通过超越AEC-Q101等车规级认证的严苛可靠性验证，确保产品在极端温度、机械应力及长期负载下的稳定表现。

我们以技术创新为基石，践行严苛的质量承诺，致力于为全球客户提供兼具高性能与高耐久性的半导体解决方案，持续推动功率半导体技术革新与产业升级。

       Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理。

       目前，新洁能已推出第二代Super Trench MOSFET，相比于第一代产品，第二代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，具有更低的栅极电阻，可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求，产品的性价比也进一步提升。

       BMS短路试验中，二代Super Trench产品短路性能较一代提升。                    

 单管EAS测试中，二代Super Trench产品普遍在雪崩耐量方面，比一代产品高出20%。

新洁能新一代Super Trench MOSFET具有优异的短路能力和极高的雪崩耐量可靠性，帮助您提高系统可靠性。