5G电源
如今的许多应用环境,如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信,越来越依赖于数据处理,为了满足5G通信下庞大的数据体系,进一步推动了5G通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统必须具有高能效和高密度,以提供所需的高水平电源性能。
新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。
目前,新洁能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代产品,第二代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上,具有更低的栅极电阻,可以满足客户更高能效更高可靠性的需求,产品的性价比进一步提升。
PFC:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
Fly back:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
同步整流:
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ