IGBT:

新一代(Trench FS IIIGBT系列产品, 基于沟槽电场截止型IGBT技术(Trench Field Stop)理论,进一步优化了器件结构,采用了先进超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process),大幅提高了器件的功率密度,显著改善了动态、静态性能。相比上一代(Trench FSIGBT,新一代(Trench FS IIIGBT芯片面积更小,芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V,开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高,使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到业内领先水平。

 

针对不同的应用需求,推出了完善的IGBT产品系列,确保在特定应用中,器件保持最佳工作状态,助您实现最理想的整机效率。

对于焊接、太阳能、UPS、电机驱动和家用电器等硬开关应用,推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)产品系列,提供各种封装形式,方便用户灵活设计。

对于感应加热、太阳能等谐振开关应用,推出了新一代1200V1350V产品系列,具有高击穿电压、大通流容量等优势;与反并联二极管或单片集成二极管合并封装,方便应用设计。

 

特点与优势:

- 低导通压降(VCEsat)             - 低开关损耗(Ets)           -短路能力10us          - 低电磁干扰 

- 电参数重复性和一致性             - 高可靠性                    - 高温稳定性           - 符合RoHS标准    

 

应用:

- 电机驱动               - 逆变焊机                       - 不间断电源UPS             - 变频器         

- 工业逆变器          - 太阳能功率转换器         - 电磁感应加热                 - 谐振开关应用


Product Name Package Technology Build-in
Diode
Vce (max)
@25oC
Ic (max)
@25oC
Ic (max)
@100oC
Icpuls (max) PD(max)
@25oC
VGE(max) VGE(th) (typ) VCE(sat)(typ)
(Vge=15V)
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Technology
Build-in
Diode
Vce (max)
@25oC
Ic (max)
@25oC
Ic (max)
@100oC
Icpuls (max)
PD(max)
@25oC
VGE(max)
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VCE(sat)(typ)
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